34% off
Recommonended For You
Görüntüler sadece referans amaçlıdır
Favorilere Ekle
onsemi NTH4L060N090SC1
| Üretici | |
| Üretici Parça No. | NTH4L060N090SC1 |
| EBEE Parça No. | E82902169 |
| Paket | TO-247-4L |
| Müşteri No. | |
| Veri Sayfası | |
| EDA Modelleri | |
| ECCN | EAR99 |
| Açıklama | TO-247-4L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Bu malzeme özelleştirilmiş kabloları destekler!
Daha fazla bilgi >>10 Stokta Var – Hemen Kargoya Verilebilir
10 hemen kargoya verilebilir1-2 İş Günü İçinde Kargoya Verilebilir
Satış Birimi: PieceTam Ambalaj: 200
| Adet | Birim Fiyat | Toplam Fiyat |
|---|---|---|
| 1+ | $8.4134 | $ 8.4134 |
| 10+ | $8.0378 | $ 80.3780 |
| 30+ | $7.3876 | $ 221.6280 |
| 90+ | $6.8195 | $ 613.7550 |
Daha fazla adet için en iyi fiyat mı arıyorsunuz?
$
Sizin İçin Önerilenler
Teknik Özellikler
2768ürün bulundu.Benzerleri Göster| Tür | Açıklama | Tümünü Seç |
|---|---|---|
| Kategori | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Veri Sayfası | onsemi NTH4L060N090SC1 | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS(on) | 84mΩ | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 11pF | |
| Pd - Power Dissipation | 221W | |
| Drain to Source Voltage | 900V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 46A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.77nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 113pF | |
| Gate Charge(Qg) | 87nC |
Alışveriş Rehberi
Genişlet
10 Stock for Shipping Fast
10 available for immediate shipping1-2 İş Günü İçinde Kargoya Verilebilir
Satış Birimi: PieceTam Ambalaj: 200
| Adet | Birim Fiyat | Toplam Fiyat |
|---|---|---|
| 1+ | $8.4134 | $ 8.4134 |
| 10+ | $8.0378 | $ 80.3780 |
| 30+ | $7.3876 | $ 221.6280 |
| 90+ | $6.8195 | $ 613.7550 |
Daha fazla adet için en iyi fiyat mı arıyorsunuz?
$
