Recommonended For You
Görüntüler sadece referans amaçlıdır
Favorilere Ekle
onsemi NTBG060N065SC1
| Üretici | |
| Üretici Parça No. | NTBG060N065SC1 |
| EBEE Parça No. | E85209021 |
| Paket | D2PAK7(TO-263-7L-HV) |
| Müşteri No. | |
| Veri Sayfası | |
| EDA Modelleri | |
| ECCN | EAR99 |
| Açıklama | D2PAK7(TO-263-7L-HV) Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Bu malzeme özelleştirilmiş kabloları destekler!
Daha fazla bilgi >>18 Stokta Var – Hemen Kargoya Verilebilir
18 hemen kargoya verilebilir1-2 İş Günü İçinde Kargoya Verilebilir
Satış Birimi: PieceTam Ambalaj: 200
| Adet | Birim Fiyat | Toplam Fiyat |
|---|---|---|
| 1+ | $9.9752 | $ 9.9752 |
| 10+ | $8.5155 | $ 85.1550 |
| 30+ | $7.6258 | $ 228.7740 |
| 100+ | $6.8786 | $ 687.8600 |
Daha fazla adet için en iyi fiyat mı arıyorsunuz?
$
Sizin İçin Önerilenler
Teknik Özellikler
2768ürün bulundu.Benzerleri Göster| Tür | Açıklama | Tümünü Seç |
|---|---|---|
| Kategori | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Veri Sayfası | onsemi NTBG060N065SC1 | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS(on) | 70mΩ | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 13pF | |
| Pd - Power Dissipation | 170W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 46A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.473nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 133pF | |
| Gate Charge(Qg) | 74nC |
Alışveriş Rehberi
Genişlet
18 Stock for Shipping Fast
18 available for immediate shipping1-2 İş Günü İçinde Kargoya Verilebilir
Satış Birimi: PieceTam Ambalaj: 200
| Adet | Birim Fiyat | Toplam Fiyat |
|---|---|---|
| 1+ | $9.9752 | $ 9.9752 |
| 10+ | $8.5155 | $ 85.1550 |
| 30+ | $7.6258 | $ 228.7740 |
| 100+ | $6.8786 | $ 687.8600 |
Daha fazla adet için en iyi fiyat mı arıyorsunuz?
$
