Recommonended For You
Görüntüler sadece referans amaçlıdır
Favorilere Ekle
onsemi NTBG022N120M3S
| Üretici | |
| Üretici Parça No. | NTBG022N120M3S |
| EBEE Parça No. | E85209031 |
| Paket | D2PAK7(TO-263-7L-HV) |
| Müşteri No. | |
| Veri Sayfası | |
| EDA Modelleri | |
| ECCN | ECL99 |
| Açıklama | D2PAK7(TO-263-7L-HV) Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Bu malzeme özelleştirilmiş kabloları destekler!
Daha fazla bilgi >>5 Stokta Var – Hemen Kargoya Verilebilir
5 hemen kargoya verilebilir1-2 İş Günü İçinde Kargoya Verilebilir
Satış Birimi: PieceTam Ambalaj: 200
| Adet | Birim Fiyat | Toplam Fiyat |
|---|---|---|
| 1+ | $14.8157 | $ 14.8157 |
| 10+ | $12.6568 | $ 126.5680 |
| 30+ | $10.9999 | $ 329.9970 |
| 100+ | $9.5531 | $ 955.3100 |
Daha fazla adet için en iyi fiyat mı arıyorsunuz?
$
Sizin İçin Önerilenler
Teknik Özellikler
2768ürün bulundu.Benzerleri Göster| Tür | Açıklama | Tümünü Seç |
|---|---|---|
| Kategori | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Veri Sayfası | onsemi NTBG022N120M3S | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS(on) | 30mΩ | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 14pF | |
| Pd - Power Dissipation | 234W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 58A | |
| Ciss-Input Capacitance | 3.2nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 148pF | |
| Gate Charge(Qg) | 148nC |
Alışveriş Rehberi
Genişlet
5 Stock for Shipping Fast
5 available for immediate shipping1-2 İş Günü İçinde Kargoya Verilebilir
Satış Birimi: PieceTam Ambalaj: 200
| Adet | Birim Fiyat | Toplam Fiyat |
|---|---|---|
| 1+ | $14.8157 | $ 14.8157 |
| 10+ | $12.6568 | $ 126.5680 |
| 30+ | $10.9999 | $ 329.9970 |
| 100+ | $9.5531 | $ 955.3100 |
Daha fazla adet için en iyi fiyat mı arıyorsunuz?
$
