5% off
| Üretici | |
| Üretici Parça No. | KN3M65017D |
| EBEE Parça No. | E87432998 |
| Paket | TO-247-3 |
| Müşteri No. | |
| Veri Sayfası | |
| EDA Modelleri | |
| ECCN | - |
| Açıklama | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
| Adet | Birim Fiyat | Toplam Fiyat |
|---|---|---|
| 1+ | $3.0023 | $ 3.0023 |
| 10+ | $2.5573 | $ 25.5730 |
| 30+ | $2.2782 | $ 68.3460 |
| 120+ | $1.9930 | $ 239.1600 |
| 480+ | $1.8648 | $ 895.1040 |
| 1020+ | $1.8090 | $ 1845.1800 |
| Tür | Açıklama | Tümünü Seç |
|---|---|---|
| Kategori | Silikon Karbür (SiC) Cihazları ,Silikon Karbür Alan Etki Etki Transistörü (MOSFET) | |
| Veri Sayfası | KNSCHA KN3M65017D | |
| RoHS | ||
| Tip | N-Channel | |
| Yapılandırma | - | |
| RDS (on) | 650mΩ@20V | |
| Çalışma sıcaklığı - | -55℃~+150℃ | |
| Ters Transfer Kapasitesi (Crss@Vds) | 1.8pF | |
| Pd - Power Dissipation | 62W | |
| Drain to Source Voltage | 1.7kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.6V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 7A | |
| Ciss-Input Capacitance | 194pF | |
| Gate Charge(Qg) | 23nC |
| Adet | Birim Fiyat | Toplam Fiyat |
|---|---|---|
| 1+ | $3.0023 | $ 3.0023 |
| 10+ | $2.5573 | $ 25.5730 |
| 30+ | $2.2782 | $ 68.3460 |
| 120+ | $1.9930 | $ 239.1600 |
| 480+ | $1.8648 | $ 895.1040 |
| 1020+ | $1.8090 | $ 1845.1800 |
