Recommonended For You
Görüntüler sadece referans amaçlıdır
Favorilere Ekle
InventChip IV2Q171R0D7
| Üretici | |
| Üretici Parça No. | IV2Q171R0D7 |
| EBEE Parça No. | E85806852 |
| Paket | TO-263-7 |
| Müşteri No. | |
| Veri Sayfası | |
| EDA Modelleri | |
| ECCN | - |
| Açıklama | TO-263-7 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Bu malzeme özelleştirilmiş kabloları destekler!
Daha fazla bilgi >>3 Stokta Var – Hemen Kargoya Verilebilir
3 hemen kargoya verilebilir1-2 İş Günü İçinde Kargoya Verilebilir
Satış Birimi: PieceTam Ambalaj: 200
| Adet | Birim Fiyat | Toplam Fiyat |
|---|---|---|
| 1+ | $4.9130 | $ 4.9130 |
| 10+ | $4.2077 | $ 42.0770 |
| 30+ | $3.7364 | $ 112.0920 |
| 100+ | $3.3126 | $ 331.2600 |
| 500+ | $3.1168 | $ 1558.4000 |
| 1000+ | $3.0296 | $ 3029.6000 |
Daha fazla adet için en iyi fiyat mı arıyorsunuz?
$
Sizin İçin Önerilenler
Teknik Özellikler
2768ürün bulundu.Benzerleri Göster| Tür | Açıklama | Tümünü Seç |
|---|---|---|
| Kategori | Silikon Karbür (SiC) Cihazları ,Silikon Karbür Alan Etki Etki Transistörü (MOSFET) | |
| Veri Sayfası | InventChip IV2Q171R0D7 | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 850mΩ | |
| Çalışma sıcaklığı - | -55℃~+175℃ | |
| Ters Transfer Kapasitesi (Crss@Vds) | 2.2pF | |
| Pd - Power Dissipation | 39W | |
| Drain to Source Voltage | 1.7kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 5A | |
| Ciss-Input Capacitance | 285pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 15.3pF | |
| Gate Charge(Qg) | 16.5nC |
Alışveriş Rehberi
Genişlet
3 Stock for Shipping Fast
3 available for immediate shipping1-2 İş Günü İçinde Kargoya Verilebilir
Satış Birimi: PieceTam Ambalaj: 200
| Adet | Birim Fiyat | Toplam Fiyat |
|---|---|---|
| 1+ | $4.9130 | $ 4.9130 |
| 10+ | $4.2077 | $ 42.0770 |
| 30+ | $3.7364 | $ 112.0920 |
| 100+ | $3.3126 | $ 331.2600 |
| 500+ | $3.1168 | $ 1558.4000 |
| 1000+ | $3.0296 | $ 3029.6000 |
Daha fazla adet için en iyi fiyat mı arıyorsunuz?
$
