| Üretici | |
| Üretici Parça No. | IV1Q12050T3 |
| EBEE Parça No. | E82924637 |
| Paket | TO-247-3 |
| Müşteri No. | |
| Veri Sayfası | |
| EDA Modelleri | |
| ECCN | EAR99 |
| Açıklama | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Lütfen teklif talebinde bulunun, derhal yanıtlayacağız.
| Adet | Birim Fiyat | Toplam Fiyat |
|---|---|---|
| 1+ | $17.0795 | $ 17.0795 |
| 10+ | $14.5823 | $ 145.8230 |
| 30+ | $13.3098 | $ 399.2940 |
| 90+ | $12.2008 | $ 1098.0720 |
| Tür | Açıklama | Tümünü Seç |
|---|---|---|
| Kategori | Silikon Karbür (SiC) Cihazları ,Silikon Karbür Alan Etki Etki Transistörü (MOSFET) | |
| Veri Sayfası | InventChip IV1Q12050T3 | |
| RoHS | ||
| Tip | N-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 327W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 58A |
Lütfen teklif talebinde bulunun, derhal yanıtlayacağız.
| Adet | Birim Fiyat | Toplam Fiyat |
|---|---|---|
| 1+ | $17.0795 | $ 17.0795 |
| 10+ | $14.5823 | $ 145.8230 |
| 30+ | $13.3098 | $ 399.2940 |
| 90+ | $12.2008 | $ 1098.0720 |
