Recommonended For You
Görüntüler sadece referans amaçlıdır
Favorilere Ekle
InventChip IV1Q06040T3
| Üretici | |
| Üretici Parça No. | IV1Q06040T3 |
| EBEE Parça No. | E82979248 |
| Paket | TO-247-3 |
| Müşteri No. | |
| Veri Sayfası | |
| EDA Modelleri | |
| ECCN | - |
| Açıklama | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Bu malzeme özelleştirilmiş kabloları destekler!
Daha fazla bilgi >>3 Stokta Var – Hemen Kargoya Verilebilir
3 hemen kargoya verilebilir1-2 İş Günü İçinde Kargoya Verilebilir
Satış Birimi: PieceTam Ambalaj: 200
| Adet | Birim Fiyat | Toplam Fiyat |
|---|---|---|
| 1+ | $12.8861 | $ 12.8861 |
| 10+ | $10.5696 | $ 105.6960 |
| 30+ | $9.6608 | $ 289.8240 |
| 90+ | $8.8682 | $ 798.1380 |
Daha fazla adet için en iyi fiyat mı arıyorsunuz?
$
Sizin İçin Önerilenler
Teknik Özellikler
2768ürün bulundu.Benzerleri Göster| Tür | Açıklama | Tümünü Seç |
|---|---|---|
| Kategori | Silikon Karbür (SiC) Cihazları ,Silikon Karbür Alan Etki Etki Transistörü (MOSFET) | |
| Veri Sayfası | InventChip IV1Q06040T3 | |
| RoHS | ||
| Tip | N-Channel | |
| Yapılandırma | - | |
| RDS (on) | 40mΩ@20V | |
| Çalışma sıcaklığı - | -55℃~+175℃ | |
| Ters Transfer Kapasitesi (Crss@Vds) | 10.8pF | |
| Pd - Power Dissipation | 348W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 72A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.692nF | |
| Output Capacitance(Coss) | - | |
| Gate Charge(Qg) | 110.8nC |
Alışveriş Rehberi
Genişlet
3 Stock for Shipping Fast
3 available for immediate shipping1-2 İş Günü İçinde Kargoya Verilebilir
Satış Birimi: PieceTam Ambalaj: 200
| Adet | Birim Fiyat | Toplam Fiyat |
|---|---|---|
| 1+ | $12.8861 | $ 12.8861 |
| 10+ | $10.5696 | $ 105.6960 |
| 30+ | $9.6608 | $ 289.8240 |
| 90+ | $8.8682 | $ 798.1380 |
Daha fazla adet için en iyi fiyat mı arıyorsunuz?
$
