Recommonended For You
Görüntüler sadece referans amaçlıdır
Favorilere Ekle
Infineon Technologies IMZA65R072M1HXKSA1
| Üretici | |
| Üretici Parça No. | IMZA65R072M1HXKSA1 |
| EBEE Parça No. | E83029556 |
| Paket | TO-247-4 |
| Müşteri No. | |
| Veri Sayfası | |
| EDA Modelleri | |
| ECCN | EAR99 |
| Açıklama | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Bu malzeme özelleştirilmiş kabloları destekler!
Daha fazla bilgi >>53 Stokta Var – Hemen Kargoya Verilebilir
53 hemen kargoya verilebilir1-2 İş Günü İçinde Kargoya Verilebilir
Satış Birimi: PieceTam Ambalaj: 200
| Adet | Birim Fiyat | Toplam Fiyat |
|---|---|---|
| 1+ | $6.3087 | $ 6.3087 |
| 10+ | $5.7945 | $ 57.9450 |
| 30+ | $5.6403 | $ 169.2090 |
| 90+ | $5.5117 | $ 496.0530 |
Daha fazla adet için en iyi fiyat mı arıyorsunuz?
$
Sizin İçin Önerilenler
Teknik Özellikler
2768ürün bulundu.Benzerleri Göster| Tür | Açıklama | Tümünü Seç |
|---|---|---|
| Kategori | Silikon Karbür (SiC) Cihazları ,Silikon Karbür Alan Etki Etki Transistörü (MOSFET) | |
| Veri Sayfası | Infineon Technologies IMZA65R072M1HXKSA1 | |
| RoHS | ||
| Tip | N-Channel | |
| RDS (on) | 94mΩ | |
| Çalışma sıcaklığı - | -55℃~+150℃ | |
| Ters Transfer Kapasitesi (Crss@Vds) | 9pF | |
| Pd - Power Dissipation | 96W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5.7V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 28A | |
| Ciss-Input Capacitance | 744pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 112pF | |
| Gate Charge(Qg) | 22nC |
Alışveriş Rehberi
Genişlet
53 Stock for Shipping Fast
53 available for immediate shipping1-2 İş Günü İçinde Kargoya Verilebilir
Satış Birimi: PieceTam Ambalaj: 200
| Adet | Birim Fiyat | Toplam Fiyat |
|---|---|---|
| 1+ | $6.3087 | $ 6.3087 |
| 10+ | $5.7945 | $ 57.9450 |
| 30+ | $5.6403 | $ 169.2090 |
| 90+ | $5.5117 | $ 496.0530 |
Daha fazla adet için en iyi fiyat mı arıyorsunuz?
$
