Recommonended For You
Görüntüler sadece referans amaçlıdır
Favorilere Ekle
Infineon Technologies IMZA65R027M1H
| Üretici | |
| Üretici Parça No. | IMZA65R027M1H |
| EBEE Parça No. | E8536297 |
| Paket | TO-247-4 |
| Müşteri No. | |
| Veri Sayfası | |
| EDA Modelleri | |
| ECCN | EAR99 |
| Açıklama | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Bu malzeme özelleştirilmiş kabloları destekler!
Daha fazla bilgi >>218 Stokta Var – Hemen Kargoya Verilebilir
218 hemen kargoya verilebilir1-2 İş Günü İçinde Kargoya Verilebilir
Satış Birimi: PieceTam Ambalaj: 200
| Adet | Birim Fiyat | Toplam Fiyat |
|---|---|---|
| 1+ | $9.0515 | $ 9.0515 |
| 10+ | $7.8448 | $ 78.4480 |
| 30+ | $7.1097 | $ 213.2910 |
| 90+ | $6.4921 | $ 584.2890 |
Daha fazla adet için en iyi fiyat mı arıyorsunuz?
$
Sizin İçin Önerilenler
Teknik Özellikler
2768ürün bulundu.Benzerleri Göster| Tür | Açıklama | Tümünü Seç |
|---|---|---|
| Kategori | Silikon Karbür (SiC) Cihazları ,Silikon Karbür Alan Etki Etki Transistörü (MOSFET) | |
| Veri Sayfası | Infineon Technologies IMZA65R027M1H | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 34mΩ | |
| Çalışma sıcaklığı - | -55℃~+150℃ | |
| Ters Transfer Kapasitesi (Crss@Vds) | 22pF | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5.7V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 59A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.131nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 317pF | |
| Gate Charge(Qg) | 63nC |
Alışveriş Rehberi
Genişlet
218 Stock for Shipping Fast
218 available for immediate shipping1-2 İş Günü İçinde Kargoya Verilebilir
Satış Birimi: PieceTam Ambalaj: 200
| Adet | Birim Fiyat | Toplam Fiyat |
|---|---|---|
| 1+ | $9.0515 | $ 9.0515 |
| 10+ | $7.8448 | $ 78.4480 |
| 30+ | $7.1097 | $ 213.2910 |
| 90+ | $6.4921 | $ 584.2890 |
Daha fazla adet için en iyi fiyat mı arıyorsunuz?
$
