Recommonended For You
Görüntüler sadece referans amaçlıdır
Favorilere Ekle
Infineon Technologies IMZ120R030M1HXKSA1
| Üretici | |
| Üretici Parça No. | IMZ120R030M1HXKSA1 |
| EBEE Parça No. | E83289091 |
| Paket | TO-247-4 |
| Müşteri No. | |
| Veri Sayfası | |
| EDA Modelleri | |
| ECCN | EAR99 |
| Açıklama | TO-247-4-1 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Bu malzeme özelleştirilmiş kabloları destekler!
Daha fazla bilgi >>48 Stokta Var – Hemen Kargoya Verilebilir
48 hemen kargoya verilebilir1-2 İş Günü İçinde Kargoya Verilebilir
Satış Birimi: PieceTam Ambalaj: 200
| Adet | Birim Fiyat | Toplam Fiyat |
|---|---|---|
| 1+ | $13.4510 | $ 13.4510 |
| 10+ | $11.7950 | $ 117.9500 |
| 30+ | $10.7852 | $ 323.5560 |
| 90+ | $9.9390 | $ 894.5100 |
Daha fazla adet için en iyi fiyat mı arıyorsunuz?
$
Sizin İçin Önerilenler
Teknik Özellikler
2768ürün bulundu.Benzerleri Göster| Tür | Açıklama | Tümünü Seç |
|---|---|---|
| Kategori | Silikon Karbür (SiC) Cihazları ,Silikon Karbür Alan Etki Etki Transistörü (MOSFET) | |
| Veri Sayfası | Infineon Technologies IMZ120R030M1HXKSA1 | |
| RoHS | ||
| Tip | N-Channel | |
| RDS (on) | 30mΩ | |
| Çalışma sıcaklığı - | -55℃~+175℃ | |
| Pd - Power Dissipation | 227W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5.7V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 56A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.12nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 116pF | |
| Gate Charge(Qg) | 63nC |
Alışveriş Rehberi
Genişlet
48 Stock for Shipping Fast
48 available for immediate shipping1-2 İş Günü İçinde Kargoya Verilebilir
Satış Birimi: PieceTam Ambalaj: 200
| Adet | Birim Fiyat | Toplam Fiyat |
|---|---|---|
| 1+ | $13.4510 | $ 13.4510 |
| 10+ | $11.7950 | $ 117.9500 |
| 30+ | $10.7852 | $ 323.5560 |
| 90+ | $9.9390 | $ 894.5100 |
Daha fazla adet için en iyi fiyat mı arıyorsunuz?
$
