Recommonended For You
Görüntüler sadece referans amaçlıdır
Favorilere Ekle
Infineon Technologies IMW65R039M1HXKSA1
| Üretici | |
| Üretici Parça No. | IMW65R039M1HXKSA1 |
| EBEE Parça No. | E83278949 |
| Paket | TO-247-3-41 |
| Müşteri No. | |
| Veri Sayfası | |
| EDA Modelleri | |
| ECCN | EAR99 |
| Açıklama | TO-247-3-41 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Bu malzeme özelleştirilmiş kabloları destekler!
Daha fazla bilgi >>16 Stokta Var – Hemen Kargoya Verilebilir
16 hemen kargoya verilebilir1-2 İş Günü İçinde Kargoya Verilebilir
Satış Birimi: PieceTam Ambalaj: 200
| Adet | Birim Fiyat | Toplam Fiyat |
|---|---|---|
| 1+ | $10.0418 | $ 10.0418 |
| 10+ | $8.5838 | $ 85.8380 |
| 30+ | $7.6961 | $ 230.8830 |
| 90+ | $6.9505 | $ 625.5450 |
Daha fazla adet için en iyi fiyat mı arıyorsunuz?
$
Sizin İçin Önerilenler
Teknik Özellikler
2768ürün bulundu.Benzerleri Göster| Tür | Açıklama | Tümünü Seç |
|---|---|---|
| Kategori | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Veri Sayfası | Infineon Technologies IMW65R039M1HXKSA1 | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS(on) | 50mΩ | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 15pF | |
| Pd - Power Dissipation | 176W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5.7V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 46A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.393nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 208pF | |
| Gate Charge(Qg) | 41nC |
Alışveriş Rehberi
Genişlet
16 Stock for Shipping Fast
16 available for immediate shipping1-2 İş Günü İçinde Kargoya Verilebilir
Satış Birimi: PieceTam Ambalaj: 200
| Adet | Birim Fiyat | Toplam Fiyat |
|---|---|---|
| 1+ | $10.0418 | $ 10.0418 |
| 10+ | $8.5838 | $ 85.8380 |
| 30+ | $7.6961 | $ 230.8830 |
| 90+ | $6.9505 | $ 625.5450 |
Daha fazla adet için en iyi fiyat mı arıyorsunuz?
$
