Recommonended For You
Görüntüler sadece referans amaçlıdır
Favorilere Ekle
Infineon Technologies IMW120R140M1HXKSA1
| Üretici | |
| Üretici Parça No. | IMW120R140M1HXKSA1 |
| EBEE Parça No. | E86210721 |
| Paket | TO-247-3-41 |
| Müşteri No. | |
| Veri Sayfası | |
| EDA Modelleri | |
| ECCN | EAR99 |
| Açıklama | TO-247-3-41 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Bu malzeme özelleştirilmiş kabloları destekler!
Daha fazla bilgi >>Stokta Var : Lütfen Soruşturun
Lütfen teklif talebinde bulunun, derhal yanıtlayacağız.
Satış Birimi: PieceTam Ambalaj: 200
| Adet | Birim Fiyat | Toplam Fiyat |
|---|---|---|
| 1+ | $5.2175 | $ 5.2175 |
| 10+ | $5.0947 | $ 50.9470 |
| 30+ | $5.0119 | $ 150.3570 |
| 90+ | $4.9306 | $ 443.7540 |
Sizin İçin Önerilenler
Teknik Özellikler
2768ürün bulundu.Benzerleri Göster| Tür | Açıklama | Tümünü Seç |
|---|---|---|
| Kategori | Silikon Karbür (SiC) Cihazları ,Silikon Karbür Alan Etki Etki Transistörü (MOSFET) | |
| Veri Sayfası | Infineon Technologies IMW120R140M1HXKSA1 | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 140mΩ | |
| Çalışma sıcaklığı - | -55℃~+175℃ | |
| Ters Transfer Kapasitesi (Crss@Vds) | 3pF | |
| Pd - Power Dissipation | 94W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5.7V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 19A | |
| Ciss-Input Capacitance | 454pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 25pF | |
| Gate Charge(Qg) | 13nC |
Alışveriş Rehberi
Genişlet
Stokta Var : Lütfen Soruşturun
Lütfen teklif talebinde bulunun, derhal yanıtlayacağız.
Satış Birimi: PieceTam Ambalaj: 200
| Adet | Birim Fiyat | Toplam Fiyat |
|---|---|---|
| 1+ | $5.2175 | $ 5.2175 |
| 10+ | $5.0947 | $ 50.9470 |
| 30+ | $5.0119 | $ 150.3570 |
| 90+ | $4.9306 | $ 443.7540 |
