Recommonended For You
Görüntüler sadece referans amaçlıdır
Favorilere Ekle
Infineon Technologies IMW120R030M1H
| Üretici | |
| Üretici Parça No. | IMW120R030M1H |
| EBEE Parça No. | E8536280 |
| Paket | TO-247-3 |
| Müşteri No. | |
| Veri Sayfası | |
| EDA Modelleri | |
| ECCN | EAR99 |
| Açıklama | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Bu malzeme özelleştirilmiş kabloları destekler!
Daha fazla bilgi >>319 Stokta Var – Hemen Kargoya Verilebilir
319 hemen kargoya verilebilir1-2 İş Günü İçinde Kargoya Verilebilir
Satış Birimi: PieceTam Ambalaj: 200
| Adet | Birim Fiyat | Toplam Fiyat |
|---|---|---|
| 1+ | $13.8098 | $ 13.8098 |
| 10+ | $12.7746 | $ 127.7460 |
| 30+ | $11.8236 | $ 354.7080 |
| 90+ | $10.9916 | $ 989.2440 |
Daha fazla adet için en iyi fiyat mı arıyorsunuz?
$
Sizin İçin Önerilenler
Teknik Özellikler
2768ürün bulundu.Benzerleri Göster| Tür | Açıklama | Tümünü Seç |
|---|---|---|
| Kategori | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Veri Sayfası | Infineon Technologies IMW120R030M1H | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| Configuration | - | |
| RDS(on) | 30mΩ@18V | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 13pF | |
| Pd - Power Dissipation | 227W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 56A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.12nF | |
| Gate Charge(Qg) | 63nC |
Alışveriş Rehberi
Genişlet
319 Stock for Shipping Fast
319 available for immediate shipping1-2 İş Günü İçinde Kargoya Verilebilir
Satış Birimi: PieceTam Ambalaj: 200
| Adet | Birim Fiyat | Toplam Fiyat |
|---|---|---|
| 1+ | $13.8098 | $ 13.8098 |
| 10+ | $12.7746 | $ 127.7460 |
| 30+ | $11.8236 | $ 354.7080 |
| 90+ | $10.9916 | $ 989.2440 |
Daha fazla adet için en iyi fiyat mı arıyorsunuz?
$
