50% off
Recommonended For You
Görüntüler sadece referans amaçlıdır
Favorilere Ekle
HXY MOSFET HC3M0032120K
| Üretici | |
| Üretici Parça No. | HC3M0032120K |
| EBEE Parça No. | E819723856 |
| Paket | TO-247-4L |
| Müşteri No. | |
| Veri Sayfası | |
| EDA Modelleri | |
| ECCN | - |
| Açıklama | TO-247-4L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Bu malzeme özelleştirilmiş kabloları destekler!
Daha fazla bilgi >>4 Stokta Var – Hemen Kargoya Verilebilir
4 hemen kargoya verilebilir1-2 İş Günü İçinde Kargoya Verilebilir
Satış Birimi: PieceTam Ambalaj: 200
| Adet | Birim Fiyat | Toplam Fiyat |
|---|---|---|
| 1+ | $7.2878 | $ 7.2878 |
| 10+ | $6.9435 | $ 69.4350 |
| 30+ | $6.3467 | $ 190.4010 |
| 90+ | $5.8259 | $ 524.3310 |
Daha fazla adet için en iyi fiyat mı arıyorsunuz?
$
Sizin İçin Önerilenler
Teknik Özellikler
2768ürün bulundu.Benzerleri Göster| Tür | Açıklama | Tümünü Seç |
|---|---|---|
| Kategori | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Veri Sayfası | HXY MOSFET HC3M0032120K | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 43mΩ | |
| Operating Temperature - | -40℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 8pF | |
| Pd - Power Dissipation | 283W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.6V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 63A | |
| Ciss-Input Capacitance | 3.357nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 129pF | |
| Gate Charge(Qg) | 118nC |
Alışveriş Rehberi
Genişlet
4 Stock for Shipping Fast
4 available for immediate shipping1-2 İş Günü İçinde Kargoya Verilebilir
Satış Birimi: PieceTam Ambalaj: 200
| Adet | Birim Fiyat | Toplam Fiyat |
|---|---|---|
| 1+ | $7.2878 | $ 7.2878 |
| 10+ | $6.9435 | $ 69.4350 |
| 30+ | $6.3467 | $ 190.4010 |
| 90+ | $5.8259 | $ 524.3310 |
Daha fazla adet için en iyi fiyat mı arıyorsunuz?
$
