12% off
Recommonended For You
Görüntüler sadece referans amaçlıdır
Favorilere Ekle
HXY MOSFET HC3M001K170J
| Üretici | |
| Üretici Parça No. | HC3M001K170J |
| EBEE Parça No. | E822449551 |
| Paket | TO-263-7L |
| Müşteri No. | |
| Veri Sayfası | |
| EDA Modelleri | |
| ECCN | - |
| Açıklama | TO-263-7L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Bu malzeme özelleştirilmiş kabloları destekler!
Daha fazla bilgi >>167 Stokta Var – Hemen Kargoya Verilebilir
167 hemen kargoya verilebilir1-2 İş Günü İçinde Kargoya Verilebilir
Satış Birimi: PieceTam Ambalaj: 200
| Adet | Birim Fiyat | Toplam Fiyat |
|---|---|---|
| 1+ | $4.2447 | $ 4.2447 |
| 10+ | $3.6466 | $ 36.4660 |
| 50+ | $3.2234 | $ 161.1700 |
| 100+ | $2.8628 | $ 286.2800 |
| 500+ | $2.6966 | $ 1348.3000 |
| 1000+ | $2.6212 | $ 2621.2000 |
Daha fazla adet için en iyi fiyat mı arıyorsunuz?
$
Sizin İçin Önerilenler
Teknik Özellikler
2768ürün bulundu.Benzerleri Göster| Tür | Açıklama | Tümünü Seç |
|---|---|---|
| Kategori | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Veri Sayfası | HXY MOSFET HC3M001K170J | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS(on) | 700mΩ@20V | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 2.2pF | |
| Pd - Power Dissipation | 86W | |
| Drain to Source Voltage | 1.7kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.8V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 6.7A | |
| Ciss-Input Capacitance | 285pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 15.3pF | |
| Gate Charge(Qg) | 16.5nC |
Alışveriş Rehberi
Genişlet
167 Stock for Shipping Fast
167 available for immediate shipping1-2 İş Günü İçinde Kargoya Verilebilir
Satış Birimi: PieceTam Ambalaj: 200
| Adet | Birim Fiyat | Toplam Fiyat |
|---|---|---|
| 1+ | $4.2447 | $ 4.2447 |
| 10+ | $3.6466 | $ 36.4660 |
| 50+ | $3.2234 | $ 161.1700 |
| 100+ | $2.8628 | $ 286.2800 |
| 500+ | $2.6966 | $ 1348.3000 |
| 1000+ | $2.6212 | $ 2621.2000 |
Daha fazla adet için en iyi fiyat mı arıyorsunuz?
$
