Recommonended For You
17% off
Görüntüler sadece referans amaçlıdır
Favorilere Ekle

HXY MOSFET HC3M00160120D


Üretici
Üretici Parça No.
HC3M00160120D
EBEE Parça No.
E822449549
Paket
TO-247
Müşteri No.
Veri Sayfası
EDA Modelleri
ECCN
-
Açıklama
TO-247 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS
Bu malzeme özelleştirilmiş kabloları destekler!
Daha fazla bilgi >>
4 Stokta Var – Hemen Kargoya Verilebilir
4 hemen kargoya verilebilir
1-2 İş Günü İçinde Kargoya Verilebilir
Satış Birimi: PieceTam Ambalaj: 200
AdetBirim FiyatToplam Fiyat
1+$4.9658$ 4.9658
10+$4.2666$ 42.6660
30+$3.8412$ 115.2360
90+$3.4831$ 313.4790
Daha fazla adet için en iyi fiyat mı arıyorsunuz?
$
TürAçıklama
Tümünü Seç
KategoriSilicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET)
Veri SayfasıHXY MOSFET HC3M00160120D
RoHS
TypeN-Channel
RDS(on)160mΩ@20V
Operating Temperature --55℃~+175℃
Drain to Source Voltage1.2kV
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))2V
Current - Continuous Drain(Id)17A

Alışveriş Rehberi

Genişlet