22% off
Recommonended For You
Görüntüler sadece referans amaçlıdır
Favorilere Ekle
HXY MOSFET HC2M0080120K
| Üretici | |
| Üretici Parça No. | HC2M0080120K |
| EBEE Parça No. | E819723862 |
| Paket | TO-247-4L |
| Müşteri No. | |
| Veri Sayfası | |
| EDA Modelleri | |
| ECCN | - |
| Açıklama | TO-247-4L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Bu malzeme özelleştirilmiş kabloları destekler!
Daha fazla bilgi >>60 Stokta Var – Hemen Kargoya Verilebilir
60 hemen kargoya verilebilir1-2 İş Günü İçinde Kargoya Verilebilir
Satış Birimi: PieceTam Ambalaj: 200
| Adet | Birim Fiyat | Toplam Fiyat |
|---|---|---|
| 1+ | $3.8081 | $ 3.8081 |
| 10+ | $3.2555 | $ 32.5550 |
| 30+ | $2.9280 | $ 87.8400 |
| 90+ | $2.5957 | $ 233.6130 |
| 510+ | $2.4425 | $ 1245.6750 |
| 990+ | $2.3730 | $ 2349.2700 |
Daha fazla adet için en iyi fiyat mı arıyorsunuz?
$
Sizin İçin Önerilenler
Teknik Özellikler
2768ürün bulundu.Benzerleri Göster| Tür | Açıklama | Tümünü Seç |
|---|---|---|
| Kategori | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Veri Sayfası | HXY MOSFET HC2M0080120K | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 98mΩ | |
| Operating Temperature - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 11pF | |
| Pd - Power Dissipation | 192W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 36A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.475nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 94pF | |
| Gate Charge(Qg) | 79nC |
Alışveriş Rehberi
Genişlet
60 Stock for Shipping Fast
60 available for immediate shipping1-2 İş Günü İçinde Kargoya Verilebilir
Satış Birimi: PieceTam Ambalaj: 200
| Adet | Birim Fiyat | Toplam Fiyat |
|---|---|---|
| 1+ | $3.8081 | $ 3.8081 |
| 10+ | $3.2555 | $ 32.5550 |
| 30+ | $2.9280 | $ 87.8400 |
| 90+ | $2.5957 | $ 233.6130 |
| 510+ | $2.4425 | $ 1245.6750 |
| 990+ | $2.3730 | $ 2349.2700 |
Daha fazla adet için en iyi fiyat mı arıyorsunuz?
$
