30% off
Recommonended For You
Görüntüler sadece referans amaçlıdır
Favorilere Ekle
HXY MOSFET HC2M0080120D
| Üretici | |
| Üretici Parça No. | HC2M0080120D |
| EBEE Parça No. | E819723850 |
| Paket | TO-247-3L |
| Müşteri No. | |
| Veri Sayfası | |
| EDA Modelleri | |
| ECCN | - |
| Açıklama | TO-247-3L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Bu malzeme özelleştirilmiş kabloları destekler!
Daha fazla bilgi >>35 Stokta Var – Hemen Kargoya Verilebilir
35 hemen kargoya verilebilir1-2 İş Günü İçinde Kargoya Verilebilir
Satış Birimi: PieceTam Ambalaj: 200
| Adet | Birim Fiyat | Toplam Fiyat |
|---|---|---|
| 1+ | $3.9354 | $ 3.9354 |
| 10+ | $3.3640 | $ 33.6400 |
| 30+ | $3.0250 | $ 90.7500 |
| 90+ | $2.6817 | $ 241.3530 |
| 510+ | $2.5235 | $ 1286.9850 |
| 990+ | $2.4525 | $ 2427.9750 |
Daha fazla adet için en iyi fiyat mı arıyorsunuz?
$
Sizin İçin Önerilenler
Teknik Özellikler
2768ürün bulundu.Benzerleri Göster| Tür | Açıklama | Tümünü Seç |
|---|---|---|
| Kategori | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Veri Sayfası | HXY MOSFET HC2M0080120D | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 98mΩ | |
| Operating Temperature - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 7.5pF | |
| Pd - Power Dissipation | 192W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 36A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.13nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 92pF | |
| Gate Charge(Qg) | 71nC |
Alışveriş Rehberi
Genişlet
35 Stock for Shipping Fast
35 available for immediate shipping1-2 İş Günü İçinde Kargoya Verilebilir
Satış Birimi: PieceTam Ambalaj: 200
| Adet | Birim Fiyat | Toplam Fiyat |
|---|---|---|
| 1+ | $3.9354 | $ 3.9354 |
| 10+ | $3.3640 | $ 33.6400 |
| 30+ | $3.0250 | $ 90.7500 |
| 90+ | $2.6817 | $ 241.3530 |
| 510+ | $2.5235 | $ 1286.9850 |
| 990+ | $2.4525 | $ 2427.9750 |
Daha fazla adet için en iyi fiyat mı arıyorsunuz?
$
