12% off
Recommonended For You
Görüntüler sadece referans amaçlıdır
Favorilere Ekle
HXY MOSFET HC1M60120D
| Üretici | |
| Üretici Parça No. | HC1M60120D |
| EBEE Parça No. | E841428810 |
| Paket | TO-247 |
| Müşteri No. | |
| Veri Sayfası | |
| EDA Modelleri | |
| ECCN | - |
| Açıklama | TO-247 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Bu malzeme özelleştirilmiş kabloları destekler!
Daha fazla bilgi >>4 Stokta Var – Hemen Kargoya Verilebilir
4 hemen kargoya verilebilir1-2 İş Günü İçinde Kargoya Verilebilir
Satış Birimi: PieceTam Ambalaj: 200
| Adet | Birim Fiyat | Toplam Fiyat |
|---|---|---|
| 1+ | $6.6698 | $ 6.6698 |
| 10+ | $5.7548 | $ 57.5480 |
| 30+ | $5.1968 | $ 155.9040 |
| 90+ | $4.7284 | $ 425.5560 |
Daha fazla adet için en iyi fiyat mı arıyorsunuz?
$
Sizin İçin Önerilenler
Teknik Özellikler
2768ürün bulundu.Benzerleri Göster| Tür | Açıklama | Tümünü Seç |
|---|---|---|
| Kategori | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Veri Sayfası | HXY MOSFET HC1M60120D | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| Configuration | - | |
| RDS(on) | - | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 4.1pF | |
| Pd - Power Dissipation | 214W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.6V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 40A | |
| Ciss-Input Capacitance | 940pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 59pF | |
| Gate Charge(Qg) | 42nC |
Alışveriş Rehberi
Genişlet
4 Stock for Shipping Fast
4 available for immediate shipping1-2 İş Günü İçinde Kargoya Verilebilir
Satış Birimi: PieceTam Ambalaj: 200
| Adet | Birim Fiyat | Toplam Fiyat |
|---|---|---|
| 1+ | $6.6698 | $ 6.6698 |
| 10+ | $5.7548 | $ 57.5480 |
| 30+ | $5.1968 | $ 155.9040 |
| 90+ | $4.7284 | $ 425.5560 |
Daha fazla adet için en iyi fiyat mı arıyorsunuz?
$
