17% off
Recommonended For You
Görüntüler sadece referans amaçlıdır
Favorilere Ekle
HXY MOSFET HC1M40120D
| Üretici | |
| Üretici Parça No. | HC1M40120D |
| EBEE Parça No. | E841428809 |
| Paket | TO-247 |
| Müşteri No. | |
| Veri Sayfası | |
| EDA Modelleri | |
| ECCN | - |
| Açıklama | TO-247 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Bu malzeme özelleştirilmiş kabloları destekler!
Daha fazla bilgi >>10 Stokta Var – Hemen Kargoya Verilebilir
10 hemen kargoya verilebilir1-2 İş Günü İçinde Kargoya Verilebilir
Satış Birimi: PieceTam Ambalaj: 200
| Adet | Birim Fiyat | Toplam Fiyat |
|---|---|---|
| 1+ | $13.0234 | $ 13.0234 |
| 10+ | $12.4241 | $ 124.2410 |
| 30+ | $11.3882 | $ 341.6460 |
| 90+ | $10.4842 | $ 943.5780 |
Daha fazla adet için en iyi fiyat mı arıyorsunuz?
$
Sizin İçin Önerilenler
Teknik Özellikler
2768ürün bulundu.Benzerleri Göster| Tür | Açıklama | Tümünü Seç |
|---|---|---|
| Kategori | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Veri Sayfası | HXY MOSFET HC1M40120D | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| Configuration | - | |
| RDS(on) | 40mΩ@18V | |
| Operating Temperature - | -40℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 14pF | |
| Pd - Power Dissipation | 357W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 68A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.766nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 125pF | |
| Gate Charge(Qg) | 112nC |
Alışveriş Rehberi
Genişlet
10 Stock for Shipping Fast
10 available for immediate shipping1-2 İş Günü İçinde Kargoya Verilebilir
Satış Birimi: PieceTam Ambalaj: 200
| Adet | Birim Fiyat | Toplam Fiyat |
|---|---|---|
| 1+ | $13.0234 | $ 13.0234 |
| 10+ | $12.4241 | $ 124.2410 |
| 30+ | $11.3882 | $ 341.6460 |
| 90+ | $10.4842 | $ 943.5780 |
Daha fazla adet için en iyi fiyat mı arıyorsunuz?
$
