| Üretici | |
| Üretici Parça No. | G2R1000MT17J |
| EBEE Parça No. | E83291152 |
| Paket | TO-263-7 |
| Müşteri No. | |
| Veri Sayfası | |
| EDA Modelleri | |
| ECCN | EAR99 |
| Açıklama | TO-263-7 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Lütfen teklif talebinde bulunun, derhal yanıtlayacağız.
| Adet | Birim Fiyat | Toplam Fiyat |
|---|---|---|
| 1+ | $14.4649 | $ 14.4649 |
| 200+ | $5.5983 | $ 1119.6600 |
| 500+ | $5.4026 | $ 2701.3000 |
| 1000+ | $5.3039 | $ 5303.9000 |
| Tür | Açıklama | Tümünü Seç |
|---|---|---|
| Kategori | Silikon Karbür (SiC) Cihazları ,Silikon Karbür Alan Etki Etki Transistörü (MOSFET) | |
| Veri Sayfası | GeneSiC Semiconductor G2R1000MT17J | |
| RoHS | ||
| Çalışma sıcaklığı | - | |
| Güç Dağılınlık | 54W | |
| Toplam Kapı Ücreti | - | |
| Sürekli Drenaklık akımı | 5A | |
| Ters Transfer Kapasitesi | - | |
| Giriş Kapant | - | |
| Çıkış Kapasite | - | |
| Yapılandırma | - | |
| Kanal Türü | 1 N-Channel | |
| Drence-Source On-State Direniş (15V) | - | |
| Drence-kaykayda St.S. Direnç (18V) | - | |
| Drence-kaykayda Karşılıklı Direniş (20V) | - | |
| Encapsulated Tip | - | |
| Drence-kaynak, St.S. Direniş (10V) | - | |
| Drenaj Kaynağı Voltajı | 1700V | |
| Drenaj Kaynağı Eşik Voltajı | - |
Lütfen teklif talebinde bulunun, derhal yanıtlayacağız.
| Adet | Birim Fiyat | Toplam Fiyat |
|---|---|---|
| 1+ | $14.4649 | $ 14.4649 |
| 200+ | $5.5983 | $ 1119.6600 |
| 500+ | $5.4026 | $ 2701.3000 |
| 1000+ | $5.3039 | $ 5303.9000 |
