| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | YJD212040NCFG2 |
| EBEE 부품 번호 | E820605668 |
| 패키지 | TO-247-4L |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | TO-247-4L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $9.6170 | $ 9.6170 |
| 10+ | $8.3486 | $ 83.4860 |
| 30+ | $7.5756 | $ 227.2680 |
| 90+ | $6.9288 | $ 623.5920 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 실리콘 카바이드(SiC) 장치 ,실리콘 카바이드 전계 효과 트랜지스터(MOSFET) | |
| 데이터시트 | Yangzhou Yangjie Elec Tech YJD212040NCFG2 | |
| RoHS | ||
| 유형 | N-Channel | |
| RDS(켜짐) | 44mΩ | |
| 작동 온도 - | -55℃~+175℃ | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 7.2pF | |
| Pd - Power Dissipation | 333W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 66A | |
| Ciss-Input Capacitance | 3.456nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 127pF | |
| Gate Charge(Qg) | 116nC |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $9.6170 | $ 9.6170 |
| 10+ | $8.3486 | $ 83.4860 |
| 30+ | $7.5756 | $ 227.2680 |
| 90+ | $6.9288 | $ 623.5920 |
