50% off
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | ASXM028120P |
| EBEE 부품 번호 | E829118251 |
| 패키지 | TO-247-3 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $6.2176 | $ 6.2176 |
| 10+ | $5.1220 | $ 51.2200 |
| 30+ | $4.5918 | $ 137.7540 |
| 90+ | $4.1471 | $ 373.2390 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| 데이터시트 | AnBon ASXM028120P | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| Configuration | - | |
| RDS(on) | 42mΩ@18V,40A | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 7.8pF | |
| Number | - | |
| Pd - Power Dissipation | 500W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 88A | |
| Ciss-Input Capacitance | 3.29nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 124pF | |
| Gate Charge(Qg) | 133nC |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $6.2176 | $ 6.2176 |
| 10+ | $5.1220 | $ 51.2200 |
| 30+ | $4.5918 | $ 137.7540 |
| 90+ | $4.1471 | $ 373.2390 |
