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SUPSiC GC3M0060065D
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | GC3M0060065D |
| EBEE 부품 번호 | E87435026 |
| 패키지 | TO247-3 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | TO247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
이 재료는 맞춤형 케이블을 지원합니다!
더 알아보기 >>재고 있음 : 문의하세요
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $5.4787 | $ 5.4787 |
| 10+ | $4.7507 | $ 47.5070 |
| 30+ | $4.3178 | $ 129.5340 |
| 90+ | $3.8795 | $ 349.1550 |
| 600+ | $3.6785 | $ 2207.1000 |
| 900+ | $3.5860 | $ 3227.4000 |
추천 제품
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| 데이터시트 | SUPSiC GC3M0060065D | |
| RoHS | ||
| Power Dissipation | 150W | |
| Total Gate Charge | 46nC | |
| Continuous Drain Current | 29A | |
| Reverse Transfer Capacitance | 9pF | |
| Input Capacitance | 1020pF | |
| Output Capacitance | 80pF | |
| Channel Type | 1 N-Channel | |
| Drain-Source On-State Resistance(15V) | 60mΩ | |
| Vgs(th) | 2.3V | |
| V(BR)DSS | 650V |
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $5.4787 | $ 5.4787 |
| 10+ | $4.7507 | $ 47.5070 |
| 30+ | $4.3178 | $ 129.5340 |
| 90+ | $3.8795 | $ 349.1550 |
| 600+ | $3.6785 | $ 2207.1000 |
| 900+ | $3.5860 | $ 3227.4000 |
