| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | CI90N120SM |
| EBEE 부품 번호 | E85364636 |
| 패키지 | TO-247-3 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| 설명 | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $12.1314 | $ 12.1314 |
| 10+ | $10.6433 | $ 106.4330 |
| 30+ | $9.7305 | $ 291.9150 |
| 90+ | $8.9647 | $ 806.8230 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 실리콘 카바이드(SiC) 장치 ,실리콘 카바이드 전계 효과 트랜지스터(MOSFET) | |
| 데이터시트 | Tokmas CI90N120SM | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+150℃ | |
| 전력 소비 | 463W | |
| 총 게이트 요금 | 164nC | |
| 연속 배수 전류 | 90A | |
| 역전송 용량 | 42.8pF | |
| 입력 커패시턴스 | 4700pF | |
| 출력 커패시턴스 | 231pF | |
| 구성 | - | |
| 채널 유형 | 1 N-Channel | |
| 드레인 소스 온상태 저항(15V) | - | |
| 드레인 소스 온상태 저항(18V) | - | |
| 드레인 소스 온상태 저항(20V) | 27mΩ | |
| Vgs(일) | 2.5V | |
| 캡슐화된 유형 | Single Tube | |
| V(BR)DSS | 1200V | |
| 드레인 소스 온상태 저항(10V) | - |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $12.1314 | $ 12.1314 |
| 10+ | $10.6433 | $ 106.4330 |
| 30+ | $9.7305 | $ 291.9150 |
| 90+ | $8.9647 | $ 806.8230 |
