| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | CI60N120SM5(TOKMAS) |
| EBEE 부품 번호 | E821547659 |
| 패키지 | TO-247-3 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $3.9649 | $ 3.9649 |
| 10+ | $3.4030 | $ 34.0300 |
| 30+ | $2.9795 | $ 89.3850 |
| 90+ | $2.6417 | $ 237.7530 |
| 510+ | $2.4861 | $ 1267.9110 |
| 1020+ | $2.4160 | $ 2464.3200 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 실리콘 카바이드(SiC) 장치 ,실리콘 카바이드 전계 효과 트랜지스터(MOSFET) | |
| 데이터시트 | Tokmas CI60N120SM5(TOKMAS) | |
| RoHS | ||
| 유형 | N-Channel | |
| RDS(켜짐) | 60mΩ | |
| 작동 온도 - | -55℃~+175℃ | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 11.6pF | |
| Pd - Power Dissipation | 312W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 60A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.9nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 118pF | |
| Gate Charge(Qg) | 128nC |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $3.9649 | $ 3.9649 |
| 10+ | $3.4030 | $ 34.0300 |
| 30+ | $2.9795 | $ 89.3850 |
| 90+ | $2.6417 | $ 237.7530 |
| 510+ | $2.4861 | $ 1267.9110 |
| 1020+ | $2.4160 | $ 2464.3200 |
