| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | CI40N65SM(TOKMAS) |
| EBEE 부품 번호 | E818214413 |
| 패키지 | TO-247-3 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| 설명 | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $4.1265 | $ 4.1265 |
| 10+ | $3.5692 | $ 35.6920 |
| 30+ | $3.1135 | $ 93.4050 |
| 90+ | $2.7785 | $ 250.0650 |
| 510+ | $2.6245 | $ 1338.4950 |
| 1020+ | $2.5546 | $ 2605.6920 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| 데이터시트 | Tokmas CI40N65SM(TOKMAS) | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 65mΩ | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 15pF | |
| Pd - Power Dissipation | 150W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 40A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.1nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 56pF | |
| Gate Charge(Qg) | 75nC |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $4.1265 | $ 4.1265 |
| 10+ | $3.5692 | $ 35.6920 |
| 30+ | $3.1135 | $ 93.4050 |
| 90+ | $2.7785 | $ 250.0650 |
| 510+ | $2.6245 | $ 1338.4950 |
| 1020+ | $2.5546 | $ 2605.6920 |
