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STMicroelectronics SCTWA30N120
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | SCTWA30N120 |
| EBEE 부품 번호 | E8472656 |
| 패키지 | HiP-247 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | HiP-247 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $22.2494 | $ 22.2494 |
| 30+ | $21.2189 | $ 636.5670 |
| 90+ | $20.9610 | $ 1886.4900 |
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| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 실리콘 카바이드(SiC) 장치 ,실리콘 카바이드 전계 효과 트랜지스터(MOSFET) | |
| 데이터시트 | STMicroelectronics SCTWA30N120 | |
| RoHS | ||
| RDS(켜짐) | 100mΩ | |
| 작동 온도 - | -55℃~+200℃ | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 25pF | |
| Pd - Power Dissipation | 270W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 45A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.7nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 130pF | |
| Gate Charge(Qg) | 105nC |
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3 available for immediate shipping1-2 영업일 내 배송 가능
판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $22.2494 | $ 22.2494 |
| 30+ | $21.2189 | $ 636.5670 |
| 90+ | $20.9610 | $ 1886.4900 |
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