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STMicroelectronics SCT50N120


제조사
제조사 부품 번호
SCT50N120
EBEE 부품 번호
E82970314
패키지
TO-247-3
고객 번호
데이터시트
EDA 모델
ECCN
EAR99
설명
TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS
이 재료는 맞춤형 케이블을 지원합니다!
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연락처 이름
비즈니스 이메일
회사명
국가
품질
판매 단위: Piece전체 봉지: 200
수량단가소계
1+$41.5620$ 41.5620
30+$39.6364$ 1189.0920
유형설명
전체 선택
카테고리실리콘 카바이드(SiC) 장치 ,실리콘 카바이드 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)
데이터시트STMicroelectronics SCT50N120
RoHS
유형N-Channel
RDS(켜짐)69mΩ
작동 온도 --55℃~+200℃
역전송 용량(Crss@Vds)30pF
Pd - Power Dissipation318W
Drain to Source Voltage1.2kV
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))3V
Current - Continuous Drain(Id)65A
Ciss-Input Capacitance1.9nF
Output Capacitance(Coss)170pF
Gate Charge(Qg)122nC

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