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| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | SP50N120CTK |
| EBEE 부품 번호 | E822466829 |
| 패키지 | TO-247-4L |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | TO-247-4L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $3.4091 | $ 3.4091 |
| 10+ | $2.8886 | $ 28.8860 |
| 30+ | $2.5796 | $ 77.3880 |
| 90+ | $2.2677 | $ 204.0930 |
| 510+ | $2.1246 | $ 1083.5460 |
| 990+ | $2.0591 | $ 2038.5090 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 실리콘 카바이드(SiC) 장치 ,실리콘 카바이드 전계 효과 트랜지스터(MOSFET) | |
| 데이터시트 | Siliup SP50N120CTK | |
| RoHS | ||
| 유형 | N-Channel | |
| RDS(켜짐) | 35mΩ@18V | |
| 작동 온도 - | -55℃~+175℃ | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 12pF | |
| Pd - Power Dissipation | 312W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 74A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.975nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 119pF | |
| Gate Charge(Qg) | 117nC |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $3.4091 | $ 3.4091 |
| 10+ | $2.8886 | $ 28.8860 |
| 30+ | $2.5796 | $ 77.3880 |
| 90+ | $2.2677 | $ 204.0930 |
| 510+ | $2.1246 | $ 1083.5460 |
| 990+ | $2.0591 | $ 2038.5090 |
