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Siliup SP25N120CTK
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | SP25N120CTK |
| EBEE 부품 번호 | E822466831 |
| 패키지 | TO-247-4L |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | TO-247-4L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $2.0866 | $ 2.0866 |
| 10+ | $1.7623 | $ 17.6230 |
| 30+ | $1.5919 | $ 47.7570 |
| 90+ | $1.3850 | $ 124.6500 |
| 510+ | $1.2906 | $ 658.2060 |
| 990+ | $1.2495 | $ 1237.0050 |
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| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 실리콘 카바이드(SiC) 장치 ,실리콘 카바이드 전계 효과 트랜지스터(MOSFET) | |
| 데이터시트 | Siliup SP25N120CTK | |
| RoHS | ||
| 유형 | N-Channel | |
| RDS(켜짐) | 60mΩ@18V | |
| 작동 온도 - | -55℃~+175℃ | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 5pF | |
| Pd - Power Dissipation | 171W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 52A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.92nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 80pF | |
| Gate Charge(Qg) | 87nC |
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $2.0866 | $ 2.0866 |
| 10+ | $1.7623 | $ 17.6230 |
| 30+ | $1.5919 | $ 47.7570 |
| 90+ | $1.3850 | $ 124.6500 |
| 510+ | $1.2906 | $ 658.2060 |
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