10% off
Recommonended For You
이미지는 참고용입니다
즐겨찾기에 추가
Sichainsemi SG1M160120J
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | SG1M160120J |
| EBEE 부품 번호 | E822363612 |
| 패키지 | TO-263-7L |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | None |
| 설명 | TO-263-7L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
이 재료는 맞춤형 케이블을 지원합니다!
더 알아보기 >>244 재고 있음 바로 배송 가능
244 바로 배송 가능1-2 영업일 내 배송 가능
판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $2.3363 | $ 2.3363 |
| 10+ | $1.9920 | $ 19.9200 |
| 50+ | $1.7991 | $ 89.9550 |
| 100+ | $1.5776 | $ 157.7600 |
| 500+ | $1.4790 | $ 739.5000 |
| 1000+ | $1.4347 | $ 1434.7000 |
더 많은 수량에 대한 최적 가격?
$
추천 제품
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| 데이터시트 | Sichainsemi SG1M160120J | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS(on) | 160mΩ@15V | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 1.4pF | |
| Pd - Power Dissipation | 120W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.8V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 21A | |
| Ciss-Input Capacitance | 617pF | |
| Gate Charge(Qg) | 25.4nC |
쇼핑 가이드
펼치기
244 Stock for Shipping Fast
244 available for immediate shipping1-2 영업일 내 배송 가능
판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $2.3363 | $ 2.3363 |
| 10+ | $1.9920 | $ 19.9200 |
| 50+ | $1.7991 | $ 89.9550 |
| 100+ | $1.5776 | $ 157.7600 |
| 500+ | $1.4790 | $ 739.5000 |
| 1000+ | $1.4347 | $ 1434.7000 |
더 많은 수량에 대한 최적 가격?
$
