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Sichainsemi S1P14R120HSE-A
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | S1P14R120HSE-A |
| EBEE 부품 번호 | E837636089 |
| 패키지 | SOT-227 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | SOT-227 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $18.9414 | $ 18.9414 |
| 30+ | $17.9887 | $ 539.6610 |
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| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| 데이터시트 | Sichainsemi S1P14R120HSE-A | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 22pF | |
| Pd - Power Dissipation | 349W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.8V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 120A | |
| Ciss-Input Capacitance | 5.521nF | |
| Gate Charge(Qg) | 230nC |
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