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Sichainsemi S1M075120H2
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | S1M075120H2 |
| EBEE 부품 번호 | E822363608 |
| 패키지 | TO-247-4L |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | None |
| 설명 | TO-247-4L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
이 재료는 맞춤형 케이블을 지원합니다!
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단가
$ 8.4653
소계
$ 8.4653
1-2 영업일 내 배송 가능
판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $8.4653 | $ 8.4653 |
| 10+ | $7.4218 | $ 74.2180 |
| 30+ | $6.7842 | $ 203.5260 |
| 90+ | $6.2498 | $ 562.4820 |
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| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 실리콘 카바이드(SiC) 장치 ,실리콘 카바이드 전계 효과 트랜지스터(MOSFET) | |
| 데이터시트 | Sichainsemi S1M075120H2 | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+175℃ | |
| 전력 소비 | 224W | |
| 총 게이트 요금 | 40nC | |
| 연속 배수 전류 | 44A | |
| 역전송 용량 | 3.8pF | |
| 입력 커패시턴스 | 1037pF | |
| 채널 유형 | 1 N-Channel | |
| 드레인 소스 온상태 저항(15V) | 75mΩ | |
| 드레인 소스 온상태 저항(18V) | 60mΩ | |
| 드레인 소스 전압 | 1200V | |
| 드레인 소스 임계 전압 | 2.8V |
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| 1+ | $8.4653 | $ 8.4653 |
| 10+ | $7.4218 | $ 74.2180 |
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