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Sichainsemi S1M075120D2
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | S1M075120D2 |
| EBEE 부품 번호 | E822363610 |
| 패키지 | TO-247-3L |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | None |
| 설명 | TO-247-3L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $2.8745 | $ 2.8745 |
| 10+ | $2.4859 | $ 24.8590 |
| 30+ | $2.2538 | $ 67.6140 |
| 90+ | $2.0203 | $ 181.8270 |
| 510+ | $1.9123 | $ 975.2730 |
| 990+ | $1.8638 | $ 1845.1620 |
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| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| 데이터시트 | Sichainsemi S1M075120D2 | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS(on) | 75mΩ@15V | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 4.3pF | |
| Pd - Power Dissipation | 214W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.8V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 44A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.02nF | |
| Gate Charge(Qg) | 40nC |
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $2.8745 | $ 2.8745 |
| 10+ | $2.4859 | $ 24.8590 |
| 30+ | $2.2538 | $ 67.6140 |
| 90+ | $2.0203 | $ 181.8270 |
| 510+ | $1.9123 | $ 975.2730 |
| 990+ | $1.8638 | $ 1845.1620 |
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