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Sichainsemi S1M040120D
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | S1M040120D |
| EBEE 부품 번호 | E822363606 |
| 패키지 | TO-247-3L |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | None |
| 설명 | TO-247-3L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $2.7142 | $ 2.7142 |
| 10+ | $2.3066 | $ 23.0660 |
| 30+ | $2.1864 | $ 65.5920 |
| 90+ | $1.9420 | $ 174.7800 |
| 510+ | $1.8294 | $ 932.9940 |
| 990+ | $1.7774 | $ 1759.6260 |
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| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| 데이터시트 | Sichainsemi S1M040120D | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS(on) | 32mΩ@18V | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 10pF | |
| Pd - Power Dissipation | 326W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.8V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 73A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.159nF | |
| Gate Charge(Qg) | 76nC |
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $2.7142 | $ 2.7142 |
| 10+ | $2.3066 | $ 23.0660 |
| 30+ | $2.1864 | $ 65.5920 |
| 90+ | $1.9420 | $ 174.7800 |
| 510+ | $1.8294 | $ 932.9940 |
| 990+ | $1.7774 | $ 1759.6260 |
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