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PN Junction Semiconductor P3M173K0T3
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | P3M173K0T3 |
| EBEE 부품 번호 | E85823481 |
| 패키지 | TO-220-2L |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | TO-220-2L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
이 재료는 맞춤형 케이블을 지원합니다!
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $10.8233 | $ 10.8233 |
| 200+ | $4.3200 | $ 864.0000 |
| 500+ | $4.1753 | $ 2087.6500 |
| 1000+ | $4.1039 | $ 4103.9000 |
추천 제품
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 실리콘 카바이드(SiC) 장치 ,실리콘 카바이드 전계 효과 트랜지스터(MOSFET) | |
| 데이터시트 | PN Junction Semiconductor P3M173K0T3 | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+175℃ | |
| 전력 소비 | 75W | |
| 총 게이트 요금 | 3.79nC | |
| 연속 배수 전류 | 4A | |
| 역전송 용량 | 4.3pF | |
| 입력 커패시턴스 | 116pF | |
| 출력 커패시턴스 | 12pF | |
| 구성 | - | |
| 채널 유형 | 1 N-Channel | |
| 드레인 소스 온상태 저항(15V) | 2500mΩ | |
| 드레인 소스 온상태 저항(18V) | - | |
| 드레인 소스 온상태 저항(20V) | - | |
| 캡슐화된 유형 | Single Tube | |
| 드레인 소스 온상태 저항(10V) | - | |
| 드레인 소스 전압 | 1700V | |
| 드레인 소스 임계 전압 | 2.2V |
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $10.8233 | $ 10.8233 |
| 200+ | $4.3200 | $ 864.0000 |
| 500+ | $4.1753 | $ 2087.6500 |
| 1000+ | $4.1039 | $ 4103.9000 |
