| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | P3M06300D5 |
| EBEE 부품 번호 | E85823477 |
| 패키지 | - |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| 설명 | Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $11.3688 | $ 11.3688 |
| 200+ | $4.5361 | $ 907.2200 |
| 500+ | $4.3844 | $ 2192.2000 |
| 1000+ | $4.3095 | $ 4309.5000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 실리콘 카바이드(SiC) 장치 ,실리콘 카바이드 전계 효과 트랜지스터(MOSFET) | |
| 데이터시트 | PN Junction Semiconductor P3M06300D5 | |
| RoHS | ||
| 전력 소비 | 26W | |
| 연속 배수 전류 | 9A | |
| 채널 유형 | 1 N-Channel | |
| 드레인 소스 전압 | 650V |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $11.3688 | $ 11.3688 |
| 200+ | $4.5361 | $ 907.2200 |
| 500+ | $4.3844 | $ 2192.2000 |
| 1000+ | $4.3095 | $ 4309.5000 |
