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onsemi NVH4L070N120M3S
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | NVH4L070N120M3S |
| EBEE 부품 번호 | E820625010 |
| 패키지 | TO-247-4L |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
이 재료는 맞춤형 케이블을 지원합니다!
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $14.0564 | $ 14.0564 |
| 10+ | $13.3820 | $ 133.8200 |
| 30+ | $12.2121 | $ 366.3630 |
| 90+ | $11.1926 | $ 1007.3340 |
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| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| 데이터시트 | onsemi NVH4L070N120M3S | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| Configuration | - | |
| RDS(on) | 35mΩ@18V | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 5pF | |
| Pd - Power Dissipation | 160W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | - | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 34A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.23nF | |
| Gate Charge(Qg) | 57nC |
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $14.0564 | $ 14.0564 |
| 10+ | $13.3820 | $ 133.8200 |
| 30+ | $12.2121 | $ 366.3630 |
| 90+ | $11.1926 | $ 1007.3340 |
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