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| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | NTH4L060N090SC1 |
| EBEE 부품 번호 | E82902169 |
| 패키지 | TO-247-4L |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | TO-247-4L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $8.4134 | $ 8.4134 |
| 10+ | $8.0378 | $ 80.3780 |
| 30+ | $7.3876 | $ 221.6280 |
| 90+ | $6.8195 | $ 613.7550 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| 데이터시트 | onsemi NTH4L060N090SC1 | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS(on) | 84mΩ | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 11pF | |
| Pd - Power Dissipation | 221W | |
| Drain to Source Voltage | 900V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 46A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.77nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 113pF | |
| Gate Charge(Qg) | 87nC |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $8.4134 | $ 8.4134 |
| 10+ | $8.0378 | $ 80.3780 |
| 30+ | $7.3876 | $ 221.6280 |
| 90+ | $6.8195 | $ 613.7550 |
