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onsemi NTBL045N065SC1
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | NTBL045N065SC1 |
| EBEE 부품 번호 | E85208253 |
| 패키지 | H-PSOF8L(9.9x11.68) |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | H-PSOF8L(9.9x11.68) Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $13.1101 | $ 13.1101 |
| 10+ | $10.3063 | $ 103.0630 |
| 30+ | $9.3200 | $ 279.6000 |
| 100+ | $8.4920 | $ 849.2000 |
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| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| 데이터시트 | onsemi NTBL045N065SC1 | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS(on) | 50mΩ | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 14pF | |
| Pd - Power Dissipation | 348W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 73A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.87nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 162pF | |
| Gate Charge(Qg) | 105nC |
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $13.1101 | $ 13.1101 |
| 10+ | $10.3063 | $ 103.0630 |
| 30+ | $9.3200 | $ 279.6000 |
| 100+ | $8.4920 | $ 849.2000 |
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