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MDD(Microdiode Semiconductor) MDDG2C065R060K3


제조사
제조사 부품 번호
MDDG2C065R060K3
EBEE 부품 번호
E822370505
패키지
TO-247-3L
고객 번호
데이터시트
EDA 모델
ECCN
None
설명
TO-247-3L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS
이 재료는 맞춤형 케이블을 지원합니다!
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연락처 이름
비즈니스 이메일
회사명
국가
품질
판매 단위: Piece전체 봉지: 200
수량단가소계
1+$12.2535$ 12.2535
200+$4.8906$ 978.1200
450+$4.7266$ 2126.9700
900+$4.6463$ 4181.6700
유형설명
전체 선택
카테고리실리콘 카바이드(SiC) 장치 ,실리콘 카바이드 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)
데이터시트MDD(Microdiode Semiconductor) MDDG2C065R060K3
RoHS
작동 온도-
전력 소비-
총 게이트 요금-
연속 배수 전류29A
역전송 용량-
입력 커패시턴스-
구성-
채널 유형1 N-Channel
드레인 소스 온상태 저항(15V)-
드레인 소스 온상태 저항(18V)-
드레인 소스 온상태 저항(20V)-
캡슐화된 유형-
드레인 소스 온상태 저항(10V)-
드레인 소스 전압650V
드레인 소스 임계 전압-

쇼핑 가이드

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