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MDD(Microdiode Semiconductor) MDDG1C120R080K3
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | MDDG1C120R080K3 |
| EBEE 부품 번호 | E822370504 |
| 패키지 | TO-247-3L |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | None |
| 설명 | TO-247-3L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
이 재료는 맞춤형 케이블을 지원합니다!
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $17.1546 | $ 17.1546 |
| 200+ | $6.8447 | $ 1368.9400 |
| 450+ | $6.6162 | $ 2977.2900 |
| 900+ | $6.5045 | $ 5854.0500 |
추천 제품
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 실리콘 카바이드(SiC) 장치 ,실리콘 카바이드 전계 효과 트랜지스터(MOSFET) | |
| 데이터시트 | MDD(Microdiode Semiconductor) MDDG1C120R080K3 | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | - | |
| 전력 소비 | - | |
| 총 게이트 요금 | - | |
| 연속 배수 전류 | 36A | |
| 역전송 용량 | - | |
| 입력 커패시턴스 | - | |
| 구성 | - | |
| 채널 유형 | 1 N-Channel | |
| 드레인 소스 온상태 저항(15V) | - | |
| 드레인 소스 온상태 저항(18V) | - | |
| 드레인 소스 온상태 저항(20V) | - | |
| 캡슐화된 유형 | - | |
| 드레인 소스 온상태 저항(10V) | - | |
| 드레인 소스 전압 | 1200V | |
| 드레인 소스 임계 전압 | - |
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $17.1546 | $ 17.1546 |
| 200+ | $6.8447 | $ 1368.9400 |
| 450+ | $6.6162 | $ 2977.2900 |
| 900+ | $6.5045 | $ 5854.0500 |
