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KNSCHA KN3M80120K


제조사
제조사 부품 번호
KN3M80120K
EBEE 부품 번호
E85373190
패키지
TO-247-4
고객 번호
데이터시트
EDA 모델
ECCN
-
설명
TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS
이 재료는 맞춤형 케이블을 지원합니다!
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
수량단가소계
1+$6.0152$ 6.0152
10+$5.2035$ 52.0350
30+$4.7102$ 141.3060
120+$4.2953$ 515.4360
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유형설명
전체 선택
카테고리실리콘 카바이드(SiC) 장치 ,실리콘 카바이드 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)
데이터시트KNSCHA KN3M80120K
RoHS
유형N-Channel
RDS(켜짐)85mΩ
작동 온도 --55℃~+175℃
역전송 용량(Crss@Vds)3.9pF
Pd - Power Dissipation214W
Drain to Source Voltage1.2kV
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))3.6V
Current - Continuous Drain(Id)38A
Ciss-Input Capacitance920pF
Output Capacitance(Coss)57pF
Gate Charge(Qg)40nC

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