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| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | KN3M65017D |
| EBEE 부품 번호 | E87432998 |
| 패키지 | TO-247-3 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $3.0023 | $ 3.0023 |
| 10+ | $2.5573 | $ 25.5730 |
| 30+ | $2.2782 | $ 68.3460 |
| 120+ | $1.9930 | $ 239.1600 |
| 480+ | $1.8648 | $ 895.1040 |
| 1020+ | $1.8090 | $ 1845.1800 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 실리콘 카바이드(SiC) 장치 ,실리콘 카바이드 전계 효과 트랜지스터(MOSFET) | |
| 데이터시트 | KNSCHA KN3M65017D | |
| RoHS | ||
| 유형 | N-Channel | |
| 구성 | - | |
| RDS(켜짐) | 650mΩ@20V | |
| 작동 온도 - | -55℃~+150℃ | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 1.8pF | |
| Pd - Power Dissipation | 62W | |
| Drain to Source Voltage | 1.7kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.6V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 7A | |
| Ciss-Input Capacitance | 194pF | |
| Gate Charge(Qg) | 23nC |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $3.0023 | $ 3.0023 |
| 10+ | $2.5573 | $ 25.5730 |
| 30+ | $2.2782 | $ 68.3460 |
| 120+ | $1.9930 | $ 239.1600 |
| 480+ | $1.8648 | $ 895.1040 |
| 1020+ | $1.8090 | $ 1845.1800 |
