50% off
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | KN3M50120K |
| EBEE 부품 번호 | E85373189 |
| 패키지 | TO-247-4 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $10.3255 | $ 10.3255 |
| 10+ | $8.9330 | $ 89.3300 |
| 30+ | $8.0851 | $ 242.5530 |
| 120+ | $7.3730 | $ 884.7600 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 실리콘 카바이드(SiC) 장치 ,실리콘 카바이드 전계 효과 트랜지스터(MOSFET) | |
| 데이터시트 | KNSCHA KN3M50120K | |
| RoHS | ||
| RDS(켜짐) | 50mΩ | |
| 작동 온도 - | -55℃~+175℃ | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 5.2pF | |
| Pd - Power Dissipation | 344W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 58A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.75nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 106pF | |
| Gate Charge(Qg) | 120nC |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $10.3255 | $ 10.3255 |
| 10+ | $8.9330 | $ 89.3300 |
| 30+ | $8.0851 | $ 242.5530 |
| 120+ | $7.3730 | $ 884.7600 |
