| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | IV2Q171R0D7 |
| EBEE 부품 번호 | E85806852 |
| 패키지 | TO-263-7 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | TO-263-7 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $4.9130 | $ 4.9130 |
| 10+ | $4.2077 | $ 42.0770 |
| 30+ | $3.7364 | $ 112.0920 |
| 100+ | $3.3126 | $ 331.2600 |
| 500+ | $3.1168 | $ 1558.4000 |
| 1000+ | $3.0296 | $ 3029.6000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 실리콘 카바이드(SiC) 장치 ,실리콘 카바이드 전계 효과 트랜지스터(MOSFET) | |
| 데이터시트 | InventChip IV2Q171R0D7 | |
| RoHS | ||
| RDS(켜짐) | 850mΩ | |
| 작동 온도 - | -55℃~+175℃ | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 2.2pF | |
| Pd - Power Dissipation | 39W | |
| Drain to Source Voltage | 1.7kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 5A | |
| Ciss-Input Capacitance | 285pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 15.3pF | |
| Gate Charge(Qg) | 16.5nC |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $4.9130 | $ 4.9130 |
| 10+ | $4.2077 | $ 42.0770 |
| 30+ | $3.7364 | $ 112.0920 |
| 100+ | $3.3126 | $ 331.2600 |
| 500+ | $3.1168 | $ 1558.4000 |
| 1000+ | $3.0296 | $ 3029.6000 |
