| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | IV1Q12750O3 |
| EBEE 부품 번호 | E82979250 |
| 패키지 | TO-220-3 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | TO-220-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $5.2578 | $ 5.2578 |
| 10+ | $4.5699 | $ 45.6990 |
| 50+ | $4.1625 | $ 208.1250 |
| 100+ | $3.7491 | $ 374.9100 |
| 500+ | $3.5575 | $ 1778.7500 |
| 1000+ | $3.4715 | $ 3471.5000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 실리콘 카바이드(SiC) 장치 ,실리콘 카바이드 전계 효과 트랜지스터(MOSFET) | |
| 데이터시트 | InventChip IV1Q12750O3 | |
| RoHS | ||
| 유형 | N-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 66.9W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 6.4A |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $5.2578 | $ 5.2578 |
| 10+ | $4.5699 | $ 45.6990 |
| 50+ | $4.1625 | $ 208.1250 |
| 100+ | $3.7491 | $ 374.9100 |
| 500+ | $3.5575 | $ 1778.7500 |
| 1000+ | $3.4715 | $ 3471.5000 |
