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InventChip IV1Q12080T3
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | IV1Q12080T3 |
| EBEE 부품 번호 | E82979243 |
| 패키지 | TO-247-3 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
이 재료는 맞춤형 케이블을 지원합니다!
더 알아보기 >>재고 있음 : 문의하세요
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $11.1161 | $ 11.1161 |
| 10+ | $9.9619 | $ 99.6190 |
| 30+ | $9.0733 | $ 272.1990 |
| 90+ | $8.2978 | $ 746.8020 |
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| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 실리콘 카바이드(SiC) 장치 ,실리콘 카바이드 전계 효과 트랜지스터(MOSFET) | |
| 데이터시트 | InventChip IV1Q12080T3 | |
| RoHS | ||
| 유형 | N-Channel | |
| 구성 | - | |
| RDS(켜짐) | 80mΩ@20V | |
| 작동 온도 - | -55℃~+175℃ | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 6.7pF | |
| Pd - Power Dissipation | 300W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.6V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 42A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.68nF | |
| Gate Charge(Qg) | 76nC |
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $11.1161 | $ 11.1161 |
| 10+ | $9.9619 | $ 99.6190 |
| 30+ | $9.0733 | $ 272.1990 |
| 90+ | $8.2978 | $ 746.8020 |
