| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | IV1Q12030T4G |
| EBEE 부품 번호 | E85806845 |
| 패키지 | TO-247-4 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $20.2768 | $ 20.2768 |
| 5+ | $19.4110 | $ 97.0550 |
| 30+ | $18.3739 | $ 551.2170 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 실리콘 카바이드(SiC) 장치 ,실리콘 카바이드 전계 효과 트랜지스터(MOSFET) | |
| 데이터시트 | InventChip IV1Q12030T4G | |
| RoHS | ||
| Drain to Source Voltage | 1.2kV |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $20.2768 | $ 20.2768 |
| 5+ | $19.4110 | $ 97.0550 |
| 30+ | $18.3739 | $ 551.2170 |
